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Verkauf durch Sack Fachmedien

Ghadiry / Amiri

Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor

Medium: Buch
ISBN: 978-981-10-6549-1
Verlag: Springer Nature Singapore
Erscheinungstermin: 16.11.2017
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Provides analytical models for lateral electric field and length of velocity saturation region of graphene nanoribbon based field effect transistors (GNR-based FETs)
Discusses an analytical model for the ionization coefficient and breakdown voltage of GNR-based FETs
Presents simulations for GNR-based FETs in terms of breakdown voltage and calculates the maximum operating voltage of the typical GNRFETs at different conditions

Produkteigenschaften

  • Artikelnummer: 9789811065491
  • Medium: Buch
  • ISBN: 978-981-10-6549-1
  • Verlag: Springer Nature Singapore
  • Erscheinungstermin: 16.11.2017
  • Sprache(n): Englisch
  • Auflage: 1. Auflage 2018
  • Serie: SpringerBriefs in Applied Sciences and Technology
  • Produktform: Kartoniert
  • Gewicht: 1766 g
  • Seiten: 86
  • Format (B x H x T): 155 x 235 x 6 mm
  • Ausgabetyp: Kein, Unbekannt

Themen

Autoren/Hrsg.

Autoren

Introduction on Scaling Issues of Conventional Semiconductors.- Basic Concept of Field Effect Transistors.- Methodology for Modelling of Surface Potemntial, Ionization and Breakdown of Graphene Field Effect Transistors.- Results and Discussion on Ionization and Breakdown of Grapehene Field Efffect Transistor.- Conclusion and Futureworks on High Voltage Application of Graphene.