A state-of-the-art overview by internationally recognized researchers, this book reviews the architectures of breakthrough devices required for future intelligent integrated systems. It highlights advanced ailicon-based CMOS technologies. New device and functional architectures are reviewed in chapters on Tunneling Field-Effect Transistors and 3-D monolithic Integration, which the alternative materials could possibly use in the future. It illustrates how to augment silicon technologies by the co-integration of new types of devices, such as molecular and resistive spintronics-based memories and smart sensors, using nanoscale features co-integrated with silicon CMOS or above it.
Produkteigenschaften
- Artikelnummer: 9789814411424
- Medium: Buch
- ISBN: 978-981-4411-42-4
- Verlag: Jenny Stanford Publishing
- Erscheinungstermin: 09.04.2014
- Sprache(n): Englisch
- Auflage: 1. Auflage 2014
- Serie: Jenny Stanford Series on Intelligent Nanosystems
- Produktform: Gebunden, HC gerader Rücken kaschiert
- Gewicht: 890 g
- Seiten: 516
- Format (B x H x T): 157 x 235 x 32 mm
- Ausgabetyp: Kein, Unbekannt
Themen
- Technische Wissenschaften
- Maschinenbau | Werkstoffkunde
- Technische Mechanik | Werkstoffkunde
- Materialwissenschaft: Elektronik, Optik
- Technische Wissenschaften
- Elektronik | Nachrichtentechnik
- Elektronik
- Elektronische Baugruppen, Elektronische Materialien
- Technische Wissenschaften
- Elektronik | Nachrichtentechnik
- Elektronik
- Elektronische Baugruppen, Elektronische Materialien
