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The book considers the main growth-related phenomena occurring during epitaxial growth, such as thermal etching, doping, segregation of the main elements and impurities, coexistence of several phases at the crystal surface and segregation-enhanced diffusion.
It is complete with tables, graphs and figures, which allow fast determination of suitable growth parameters for practical applications.
Produkteigenschaften
- Artikelnummer: 9783540657941
- Medium: Buch
- ISBN: 978-3-540-65794-1
- Verlag: Springer Berlin Heidelberg
- Erscheinungstermin: 02.07.1999
- Sprache(n): Englisch
- Auflage: 1. Auflage 1999
- Serie: Springer Tracts in Modern Physics
- Produktform: Gebunden, HC runder Rücken kaschiert
- Gewicht: 336 g
- Seiten: 86
- Format (B x H x T): 160 x 241 x 11 mm
- Ausgabetyp: Kein, Unbekannt