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Lutz / Schlangenotto / Scheuermann

Semiconductor Power Devices

Volume 1: Physics, Technology and Design of Power Devices

Medium: Buch
ISBN: 978-3-032-15695-2
Verlag: Springer Nature Switzerland AG
Erscheinungstermin: 30.08.2026
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This new edition of the book Semiconductor Power Devices is now divided into two volumes. This first volume focuses on the Physics, Technology, and Design of Power Devices. It provides a comprehensive explanation of the physical principles essential for understanding modern power devices. The complementation of the classical pn-theory regarding high-injection behavior and the description of emitters by H. Schlangenotto is now rounded off, displayed in newly written Sections. For IGBTs, new structures with strong carrier confinement are added. New are special chapters on SiC devices and GaN devices. In the SiC chapter, the bipolar mode of the MOSFET body diode and its reverse recovery is discussed for the first time.

The edition provides extended content offering significant updates compared to previous editions.

Produkteigenschaften

  • Artikelnummer: 9783032156952
  • Medium: Buch
  • ISBN: 978-3-032-15695-2
  • Verlag: Springer Nature Switzerland AG
  • Erscheinungstermin: 30.08.2026
  • Sprache(n): Englisch
  • Auflage: Third Auflage 2026
  • Produktform: Gebunden
  • Seiten: 565
  • Format (B x H): 155 x 235 mm
  • Ausgabetyp: Kein, Unbekannt
  • Vorauflage: 978-3-319-70916-1

Themen

Autoren/Hrsg.

Autoren

1. Power Semiconductor Devices – Key Components for Efficient Electrical Energy Conversion Systems.- 2. Semiconductor Properties.- 3. pn-Junctions.- 4. Short Introduction to Power Device Technology.- 5. pin-Diodes.- 6. Schottky Diodes.- 7. Bipolar Transistors.- 8. Thyristors.- 9. MOS Transistors.- 10. IGBTs.- 11. Packaging and Reliability of Power Devices.- 12. Destructive Mechanisms in Power Devices.- 13. Power Device-Induced Oscillations and Electromagnetic Disturbances.- 14. Power Electronic System Integration.