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Karmakar

Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor

Fabrication, Modeling and Applications

Medium: Buch
ISBN: 978-81-322-1634-6
Verlag: Springer
Erscheinungstermin: 10.12.2013
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The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM). Different ternary logic circuits based on QDGFET are also investigated in this book. Advanced circuit such as three-bit and six bit analog-to-digital converter (ADC) and digital-to-analog converter (DAC) were also simulated.

Produkteigenschaften

  • Artikelnummer: 9788132216346
  • Medium: Buch
  • ISBN: 978-81-322-1634-6
  • Verlag: Springer
  • Erscheinungstermin: 10.12.2013
  • Sprache(n): Englisch
  • Auflage: 2014
  • Produktform: Gebunden, HC runder Rücken kaschiert
  • Gewicht: 3495 g
  • Seiten: 134
  • Format (B x H x T): 160 x 241 x 14 mm
  • Ausgabetyp: Kein, Unbekannt

Themen

Autoren/Hrsg.

Autoren

Introduction: Multi State Devices and Logic.- Quantum Dot Gate Field Effect Transistor Device Structures.- Quantum Dot Gate Field Effect Transistors Fabrication and Characterization.- Quantum DOT Gate Field Effect Transistors Theory and Device Modeling.- Quantum Dot Gate NMOS Inverter.- Quantum Dot Gate Field Effect Transistor (QDGFET): Circuit Model and Ternary Logic Inverter.- Analog-to-Digital Converter (ADC) and Digital-to-Analog Converter (DAC) Using Quantum DOT Gate Field Effect Transistor (QDGFET).- Performance in SUB-25nm Range.- Conclusions.